AL10310 Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre silicio de 4 pulgadas 4 pulgadas x 500 nm

Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre silicio de 4 pulgadas 4 pulgadas x 500 nm Descripción

La plantilla de nitruro de aluminio AlN no dopado sobre silicio de 4 pulgadas (Si <111> dopado con P tipo B) se deposita como una película de 500 nm sobre una oblea de silicio de 4 pulgadas con dopado controlado con B tipo p. Compuesta de AlN y Si, la estructura ofrece una alta conductividad térmica y aislamiento eléctrico, fundamentales para los dispositivos semiconductores. Su película uniforme ayuda a minimizar los desajustes reticulares y la tensión térmica durante la fabricación de dispositivos, garantizando la compatibilidad con los equipos de procesamiento estándar.

Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre silicio de 4 pulgadas 4 pulgadas x 500 nm Aplicaciones

1.Aplicaciones electrónicas y de semiconductores
- Utilización como capa dieléctrica o barrera en transistores de alta frecuencia para controlar las corrientes de fuga aprovechando el aislamiento eléctrico y la alineación cristalográfica de la película.
- Se aplica como capa intermedia en dispositivos de radiofrecuencia para reducir la capacitancia parásita gracias a su espesor uniforme de 500 nm.

2.Aplicaciones industriales y de detección
- Se utiliza como sustrato en la fabricación de sensores para mantener la estabilidad térmica aprovechando la alta conductividad térmica del AlN.
- Se emplea con frecuencia en embalajes microelectrónicos para mitigar las tensiones térmicas, aprovechando las propiedades de interfaz controlada del material.

Plantilla de nitruro de aluminio AlN no dopado sobre silicio de 4 pulgadas 4 pulgadas x 500 nm Embalaje

El sustrato se envasa en un recipiente con espuma antiestática dentro de una bolsa de polietileno sellada para evitar la contaminación y los daños mecánicos. Debe almacenarse en un entorno seco y a temperatura controlada para mantener la consistencia de la película. Existen otras opciones de personalización, como el sellado al vacío y la compartimentación a medida, para satisfacer los requisitos de manipulación específicos del procesamiento de semiconductores.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Qué medidas de control de calidad se aplican durante la producción?
R1: SAM utiliza microscopía electrónica de barrido y perfilometría para verificar la uniformidad de la película e identificar defectos, garantizando que las variaciones de procesamiento se mantengan dentro de límites aceptables para aplicaciones de semiconductores.

P2: ¿Cómo influye el dopaje B de tipo P en el rendimiento del sustrato?
A2: El dopaje B controlado en el sustrato de silicio mejora las características eléctricas y facilita la integración uniforme con la película de AlN, lo que resulta esencial para un rendimiento uniforme del dispositivo en condiciones de proceso de semiconductores.

P3: ¿Qué condiciones de almacenamiento se recomiendan para preservar la integridad del sustrato?
R3: El sustrato debe almacenarse en un entorno de baja humedad y temperatura estable, utilizando un embalaje antiestático y anticontaminación para minimizar la exposición a tensiones mecánicas y contaminantes ambientales.

Información adicional

El nitruro de aluminio (AlN) es ampliamente reconocido por su alta conductividad térmica y propiedades de aislamiento eléctrico, lo que lo hace adecuado para aplicaciones electrónicas avanzadas. La combinación de AlN con un sustrato de silicio crea una plataforma que favorece la disipación eficaz del calor y minimiza la tensión térmica durante el funcionamiento del dispositivo.

En la fabricación de semiconductores, el control de la orientación cristalina y la uniformidad de la película son fundamentales para la fiabilidad del dispositivo. La integración de AlN no dopado en una oblea de silicio con una orientación <111> definida garantiza que el sustrato resultante pueda soportar rigurosos pasos de procesamiento sin comprometer la integridad estructural necesaria para los dispositivos electrónicos de alto rendimiento.