AL10309 Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre silicio (Si <111> tipo P) 10 mmx10 mm x 200 nm

Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre silicio (tipo Si <111> P) 10 mmx10 mm x 200 nm Descripción

La plantilla de nitruro de aluminio (AlN) no dopado sobre silicio (tipo Si <111> P) se produce mediante un proceso de deposición preciso que crea una película de AlN de 200 nm de espesor sobre un sustrato de silicio de 10 mm x 10 mm. Esta configuración permite un aislamiento eléctrico controlado y una gestión térmica eficaz, esenciales para la integración de dispositivos semiconductores. La orientación cristalina uniforme del sustrato favorece la coherencia del proceso y la compatibilidad con los protocolos de microfabricación estándar.

Plantilla de nitruro de aluminio AlN no dopado sobre silicio (tipo Si <111> P) 10 mmx10 mm x 200 nm Aplicaciones

1.
Aplicaciones en electrónica y semiconductores
- Se utiliza como capa aislante en la fabricación de circuitos integrados para reducir las fugas eléctricas aprovechando sus propiedades dieléctricas.
- Se aplica como capa de pasivación en dispositivos sensores para mejorar la estabilidad térmica y proteger contra la contaminación gracias a su estructura de película uniforme.

2.
Aplicaciones industriales
- Utilizado como sustrato en módulos de dispositivos de potencia para lograr una disipación eficaz del calor aprovechando su conductividad térmica inherente.
- Sirve como soporte para procesos de película fina en ensamblaje microelectrónico para garantizar la uniformidad del proceso al proporcionar una superficie estable y lisa.

Plantilla de nitruro de aluminio AlN no dopado sobre silicio (tipo Si <111> P) 10 mmx10 mm x 200 nm Embalaje

El sustrato se embala de forma segura en un contenedor antiestático revestido de espuma con bolsas de barrera contra la humedad para reducir la contaminación y los daños mecánicos. El diseño del envase incluye un etiquetado resistente para indicar claramente las especificaciones del producto y las instrucciones de manipulación. Almacénese en un entorno de temperatura controlada y baja humedad para mantener la integridad de la película. Existen opciones de embalaje personalizadas para adaptar la protección a requisitos específicos de transporte o almacenamiento.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo influye el grosor de la película en la integración del sustrato en los procesos de semiconductores?
R1: El grosor de 200 nm de la película de AlN proporciona un aislamiento y una gestión térmica controlados, lo que resulta esencial para reducir las fugas eléctricas y mejorar la disipación del calor durante la fabricación de semiconductores. Una película uniforme también favorece la uniformidad en todos los pasos del proceso.

P2: ¿Qué métodos de control de calidad se aplican durante el proceso de deposición de AlN?
A2: El proceso de deposición incorpora imágenes SEM de alta resolución y metrología de superficie para controlar la uniformidad de la película y detectar defectos. Estas inspecciones garantizan el cumplimiento de las tolerancias dimensionales y la consistencia del material durante toda la producción.

P3: ¿Qué condiciones de almacenamiento se recomiendan para mantener el rendimiento del sustrato?
R3: El sustrato debe almacenarse en un entorno de temperatura controlada y baja humedad. El embalaje protector minimiza la exposición a contaminantes y tensiones mecánicas, preservando la integridad estructural y funcional del sustrato.

Información adicional

El nitruro de aluminio es un material cerámico conocido por sus excepcionales propiedades de conductividad térmica y aislamiento eléctrico. Como sustrato, su capacidad para gestionar el calor y proporcionar una capa dieléctrica estable es fundamental en la fabricación de semiconductores, ya que admite aplicaciones electrónicas y microelectrónicas precisas.

Comprender el proceso de deposición y la microestructura del sustrato es importante para optimizar el rendimiento de los circuitos integrados y la electrónica de potencia. El cuidadoso control del grosor de la película y de la orientación cristalina mejora la compatibilidad con el procesamiento estándar de semiconductores, lo que contribuye a mejorar la eficacia y fiabilidad de los dispositivos.