AL10304 Plantilla de nitruro de aluminio pulido por una cara sobre zafiro Al2O3 (0001) Película de AlN de 4 pulgadas x 0,5 mm 1000 nm

Plantilla de Nitruro de Aluminio Pulido por una Cara sobre Zafiro Al2O3 (0001) 4 pulgadas x 0.5 mm AlN Film 1000 nm Descripción

Este sustrato combina una película de nitruro de aluminio de 1000 nm de espesor con una base de zafiro (Al2O3), ofreciendo una superficie altamente plana y lisa para el procesamiento de semiconductores. La técnica de pulido por una sola cara minimiza la rugosidad de la superficie y mejora la uniformidad. Con unas dimensiones de 4 pulgadas por 0,5 mm, la plantilla permite una integración fiable en la fabricación de dispositivos, facilitando una alineación litográfica precisa y una gestión térmica eficaz en aplicaciones de alta potencia.

Plantilla de nitruro de aluminio pulido por una cara sobre zafiro Al2O3 (0001) Película de AlN de 4 pulgadas x 0,5 mm 1000 nm Aplicaciones

1.Electrónica
- Utilizado como sustrato activo en dispositivos electrónicos de potencia para gestionar la disipación de calor aprovechando la alta conductividad térmica del zafiro.
- Se aplica como base en componentes de radiofrecuencia para mejorar la integridad de la señal gracias a su película uniforme de AlN.

2.Industrial
- Sirve como capa funcional en conjuntos de sensores para lograr una mayor sensibilidad utilizando la superficie lisa y con pocos defectos del sustrato.
- Se utiliza con frecuencia en herramientas de mecanizado de precisión en las que la estabilidad dimensional es esencial para la creación de patrones de alta resolución.

Plantilla de nitruro de aluminio pulido por una cara sobre zafiro Al2O3 (0001) Película de AlN de 4 pulgadas x 0,5 mm y 1000 nm Embalaje

El sustrato se embala en un contenedor antiestático revestido de espuma con una cubierta protectora para evitar daños mecánicos. Está sellado dentro de un embalaje con barrera contra la humedad para mantener la integridad de la superficie y minimizar la contaminación por partículas. Se recomienda el almacenamiento a temperatura ambiente controlada. Existen opciones de envasado personalizadas, incluidos insertos compartimentados y etiquetado, para cumplir con protocolos de manipulación específicos.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo influye el acabado pulido por una cara en la integración del sustrato en los procesos de semiconductores?
R1: La superficie pulida reduce la rugosidad superficial, mejorando la precisión litográfica y garantizando una mejor adherencia de la película. Esta uniformidad es crucial para minimizar los defectos durante los pasos de procesamiento posteriores.

P2: ¿Qué papel desempeña el sustrato de zafiro en la gestión térmica?
A2: El zafiro (Al2O3) ofrece una alta conductividad térmica, lo que ayuda a disipar el calor durante el funcionamiento del dispositivo. Esta propiedad es especialmente beneficiosa en la electrónica de alta potencia, donde la estabilidad térmica es crítica.

P3: ¿Qué protocolos de limpieza se recomiendan antes de la fabricación de dispositivos?
R3: Se recomienda una limpieza estándar, como la limpieza RCA seguida de un aclarado con agua desionizada, para eliminar los contaminantes sin comprometer la integridad de la película. Este proceso garantiza que el sustrato mantenga sus propiedades durante la integración.

Información adicional

Las cerámicas de nitruro de aluminio (AlN) son valoradas en aplicaciones de alto rendimiento debido a su excelente conductividad térmica y propiedades de aislamiento eléctrico. La integración de una película de AlN sobre zafiro mejora las prestaciones mecánicas y térmicas del sustrato, haciéndolo idóneo para aplicaciones de semiconductores y sensores.

Los avances en las técnicas de deposición y pulido han mejorado la consistencia y uniformidad de las películas de AlN. Estas mejoras son fundamentales para aplicaciones de precisión en las que la uniformidad de la película puede afectar significativamente al rendimiento del dispositivo, la fiabilidad y la eficiencia de la integración en procesos de fabricación complejos.