AL10301 Plantilla de nitruro de aluminio pulido por una cara sobre zafiro (0001) Película de AlN de 2 pulgadas x 0,5 mm 1000 nm

Plantilla de nitruro de aluminio pulido por una cara sobre zafiro (0001) Película de AlN de 2 pulgadas x 0,5 mm 1000 nm Descripción

La plantilla consiste en una película de AlN pulida por una cara depositada sobre un sustrato de zafiro (0001). Las dimensiones de 2 pulgadas por 0,5 mm garantizan la compatibilidad con las herramientas estándar de procesamiento de semiconductores, mientras que el grosor uniforme de la película de 1000 nm proporciona propiedades dieléctricas definidas. La superficie pulida por una cara minimiza la dispersión, lo que favorece la deposición eficiente de capas posteriores para sistemas electrónicos y optoelectrónicos de alto rendimiento.

Plantilla de nitruro de aluminio pulida por una cara sobre zafiro (0001) Película de AlN de 2 pulgadas x 0,5 mm y 1000 nm Aplicaciones

Electrónica
- Se utiliza como sustrato en circuitos de radiofrecuencia para conseguir una pérdida dieléctrica reducida aprovechando la alta conductividad térmica del AlN, lo que se traduce en un rendimiento estable en operaciones de alta frecuencia.
- Aplicado como base para dispositivos semiconductores de alta velocidad para mitigar la acumulación térmica mediante una disipación eficaz del calor, garantizando la estabilidad operativa.

Optoelectrónica
- Utilizado como plataforma en estructuras LED para mejorar la extracción de fotones aprovechando la superficie lisa y pulida por un lado, que minimiza la dispersión superficial.
- Se emplea en la fabricación de diodos láser para producir una interfaz uniforme que favorezca una emisión de luz uniforme reduciendo las irregularidades de la interfaz.

Plantilla de nitruro de aluminio pulida por una cara sobre zafiro (0001) Película de AlN de 2 pulgadas x 0,5 mm y 1000 nm Embalaje

Las plantillas se embalan en soportes antiestáticos aptos para salas limpias con inserciones de espuma para minimizar el impacto mecánico. Se sellan en bolsas con barrera contra la humedad para restringir la contaminación y se almacenan en condiciones controladas de baja humedad. Existen opciones de envasado personalizadas, como contenedores sellados al vacío y etiquetado especializado, para cumplir los requisitos precisos de almacenamiento y transporte.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo se verifica la calidad de la superficie de estas plantillas de AlN?
R1: La calidad de la superficie se verifica mediante interferometría y microscopía electrónica de barrido para garantizar la uniformidad y unos defectos mínimos. Estas técnicas confirman que el proceso de pulido por una cara cumple los estrictos criterios necesarios para el procesamiento avanzado de semiconductores.

P2: ¿Qué ventajas de gestión térmica ofrece la película de AlN en la integración de dispositivos?
A2: La alta conductividad térmica intrínseca del AlN facilita una disipación eficaz del calor durante el funcionamiento del dispositivo. Esta propiedad reduce los gradientes térmicos, evitando así el sobrecalentamiento localizado y favoreciendo un rendimiento constante en aplicaciones de alta potencia.

P3: ¿Pueden modificarse las dimensiones del sustrato para aplicaciones específicas?
R3: Sí, las dimensiones del sustrato pueden adaptarse a los requisitos de procesos específicos. Se dispone de procesos de corte y conformado a medida para adaptarse a las especificaciones precisas de los equipos y a las necesidades de las aplicaciones, garantizando la compatibilidad con diversas arquitecturas de dispositivos.

Información adicional

El nitruro de aluminio es un material cerámico conocido por su alta conductividad térmica y sus propiedades dieléctricas estables, que lo hacen valioso para aplicaciones electrónicas de alta temperatura. La integración de una película de AlN en un sustrato de zafiro permite mejorar la adaptación reticular y la gestión térmica, aspectos críticos en la fabricación de dispositivos semiconductores avanzados.

El uso de una superficie pulida por un lado mejora la posterior deposición de capas al reducir la rugosidad de la superficie y los efectos de dispersión. Este método de procesado permite aplicaciones en las que es esencial una alta calidad de la interfaz, y la combinación de AlN y zafiro se ha investigado ampliamente por su potencial para soportar dispositivos electrónicos y optoelectrónicos del siguiente nivel.