AL10300 Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre zafiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm

Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre zafiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm Descripción

La plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre zafiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm es un sustrato cerámico monocristalino que integra una fina película de 5000 nm de AlN sobre una base de zafiro (Al2O3) con un tamaño de 10x10 mm. El grosor definido de la capa facilita la deposición uniforme de la película, mientras que la naturaleza no dopada del AlN minimiza la interferencia de impurezas. Esta estructura proporciona propiedades dieléctricas estables y una mejor gestión térmica, lo que permite afrontar los retos que plantean los rigurosos procesos de fabricación electrónica.

Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre zafiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm Aplicaciones

Electrónica
- Utilizado como capa dieléctrica en módulos de RF para lograr un aislamiento preciso de la señal aprovechando las propiedades térmicas y dieléctricas estables del material.
- Aplicado como disipador de calor en conjuntos de LED para mejorar la disipación térmica aprovechando la microestructura del material compuesto.

Fabricación de semiconductores
- Utilizado como sustrato en el crecimiento de películas epitaxiales para lograr una deposición uniforme aprovechando la superficie lisa de zafiro y las propiedades controladas del AlN.

Plantilla de nitruro de aluminio AlN no dopado sobre zafiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx5000 nm Embalaje

Los sustratos se embalan en contenedores antiestáticos y acolchados con espuma para reducir la tensión mecánica y la contaminación. Están encerrados en cajas rígidas para protegerlos de los impactos físicos. El embalaje está diseñado para condiciones de almacenamiento ambientales con humedad controlada, garantizando una exposición mínima a la humedad. Si lo desea, podemos ofrecerle opciones de embalaje personalizadas, como cajas selladas al vacío o purgadas con gas inerte.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Qué problemas de procesamiento pueden surgir al utilizar este sustrato en entornos de alta temperatura?
R1: Mantener la planitud del sustrato durante ciclos térmicos rápidos puede resultar complicado. Una rampa de temperatura adecuada y la calibración del equipo de procesamiento ayudan a evitar deformaciones o microfisuras durante la deposición.

P2: ¿Cómo afecta el grosor de la película de 5000 nm a la posterior deposición de capas?
A2: El grosor uniforme de 5000 nm garantiza una nucleación uniforme, proporcionando una plataforma consistente para el posterior crecimiento de la película, al tiempo que minimiza los defectos inducidos por la tensión durante la fabricación de semiconductores.

P3: ¿Pueden aplicarse técnicas estándar de postprocesado sin alterar la interfaz AlN/Al2O3?
R3: Sí, pueden emplearse técnicas como la limpieza con plasma y el grabado selectivo. Es esencial optimizar cuidadosamente los parámetros del proceso para preservar la integridad microestructural en la interfaz AlN/Al2O3.

Información adicional

Los sustratos de nitruro de aluminio son reconocidos por su conductividad térmica y su baja constante dieléctrica, lo que los hace adecuados para aplicaciones electrónicas y de alta temperatura. Cuando se combina con zafiro, el compuesto resultante equilibra una buena disipación del calor con unas características eléctricas estables, críticas para la fabricación de dispositivos semiconductores.

La integración de AlN no dopado con zafiro (Al2O3) aprovecha las propiedades inherentes a los materiales de ambos compuestos. Los métodos de deposición controlada y los rigurosos procesos de verificación mejoran la uniformidad de la película y la suavidad de la superficie, esenciales para la fabricación precisa de dispositivos y la gestión térmica en entornos operativos exigentes.