AL10299 Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre silicio de 2 pulgadas 5 mm x 5 mm x 200 nm

Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre silicio de 2 pulgadas 5 mm x 5 mm x 200 nm Descripción

La plantilla de AlN de nitruro de aluminio no dopado sobre silicio de 2 pulgadas de 5 mm x 5 mm x 200 nm consiste en una capa de AlN cultivada epitaxialmente sobre un sustrato de silicio, lo que garantiza un alto grado de uniformidad en el grosor de la película. El tamaño de 5 mm por 5 mm es compatible con el procesamiento estándar de semiconductores a pequeña escala, mientras que el grosor de 200 nm de la película facilita la integración en dispositivos que requieren capas aislantes y de barrera precisas. Las propiedades cerámicas inherentes al sustrato ofrecen inercia química y estabilidad térmica.

Plantilla de nitruro de aluminio AlN no dopado sobre silicio de 2 pulgadas 5 mm x 5 mm x 200 nm Aplicaciones

Electrónica
- Se utiliza como barrera aislante en dispositivos semiconductores para reducir las corrientes de fuga aprovechando la inercia química de la película de AlN.
- Se aplica como interfaz dieléctrica en circuitos de radiofrecuencia para mantener la fidelidad de la señal con una película fina estable y uniforme.

Procesamiento industrial
- Sirve como sustrato en procesos de microfabricación para evitar la contaminación durante operaciones a alta temperatura gracias al grosor uniforme de su película.
- Se emplea como capa de barrera en la fabricación de LED para mitigar los efectos de difusión aprovechando su estabilidad térmica.

Plantilla de nitruro de aluminio AlN no dopado sobre silicio de 2 pulgadas 5 mm x 5 mm x 200 nm Embalaje

El sustrato se envasa en bolsas de polietileno antiestáticas selladas y se coloca dentro de cajas de cartón rígidas que absorben los golpes. Se almacena a temperatura controlada y en condiciones de baja humedad para evitar la absorción de humedad y la contaminación por partículas. Los envases pueden personalizarse con funciones adicionales de control de la humedad e inserciones compartimentadas para cumplir los estrictos requisitos de manipulación durante el transporte y el almacenamiento.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Qué proceso se utiliza para conseguir una película uniforme de AlN sobre silicio?
R1: La película de AlN se deposita mediante técnicas de CVD controladas, supervisadas por SEM en línea y perfilometría para mantener un grosor y una morfología superficial uniformes.

P2: ¿Cómo beneficia a las aplicaciones semiconductoras la naturaleza no dopada de la capa de AlN?
A2: La ausencia de dopaje minimiza los portadores libres no intencionados, garantizando unas características dieléctricas estables esenciales para el rendimiento de los dispositivos de alta frecuencia.

P3: ¿Qué entorno de almacenamiento se recomienda para estos sustratos?
R3: Los sustratos deben almacenarse en condiciones de temperatura controlada y baja humedad dentro de embalajes antiestáticos para evitar la degradación y la contaminación inducidas por la humedad.

Información adicional

El nitruro de aluminio se emplea con frecuencia en aplicaciones electrónicas en las que son esenciales una alta conductividad térmica y el aislamiento eléctrico. La integración de una capa de AlN en un sustrato de silicio permite la combinación de propiedades cerámicas y semiconductoras, posibilitando arquitecturas avanzadas de dispositivos en microelectrónica.

La deposición de una película fina de AlN sobre silicio exige un control riguroso de los parámetros del proceso, como la temperatura, la presión y el caudal de precursores. Esto garantiza que la película resultante mantenga una estructura uniforme y unas propiedades eléctricas predecibles, lo que es fundamental para la repetibilidad en la investigación y las aplicaciones industriales.