AL10296 Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre silicio de 2 pulgadas (Si <111> tipo N) 2 pulgadas x 500 nm

Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre silicio de 2 pulgadas (Si <111> tipo N) 2 pulgadas x 500 nm Descripción

El nitruro de aluminio (AlN) no dopado sobre un sustrato de silicio de 2 pulgadas (orientación Si <111>) presenta un grosor de película preciso de 500 nm. El sustrato admite la fabricación de dispositivos semiconductores estándar, manteniendo propiedades cristalográficas controladas y baja densidad de defectos. Su inercia química y conductividad térmica contribuyen a la estabilidad del dispositivo durante el procesamiento a alta temperatura. El grosor definido de la capa garantiza la uniformidad en todo el sustrato para una integración coherente en los sistemas electrónicos.

Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre silicio de 2 pulgadas (Si <111> tipo N) 2 pulgadas x 500 nm Aplicaciones

1.Aplicaciones electrónicas
- Se utiliza como capa aislante en circuitos de RF para conseguir una baja capacitancia parásita aprovechando la baja pérdida dieléctrica de la película de AlN.
- Se aplica como capa de pasivación en dispositivos semiconductores para reducir las corrientes de fuga aprovechando el espesor uniforme y la cristalografía controlada de la película.

2.Aplicaciones industriales
- Utilizado como elemento de gestión térmica en electrónica de potencia para disipar el calor aprovechando la alta conductividad térmica de la película de AlN.
- Se emplea como sustrato base en la fabricación de MEMS para garantizar la estabilidad dimensional aprovechando el control preciso de la deposición de la película.

Plantilla de nitruro de aluminio AlN no dopado sobre silicio de 2 pulgadas (tipo Si <111> N) Embalaje de 2 pulgadas x 500 nm

El sustrato se embala en un contenedor antiestático revestido de espuma para proporcionar protección mecánica y control de la contaminación. Una bolsa de plástico sellada protege contra la humedad y las partículas. El embalaje está diseñado para mantener un entorno de temperatura estable durante el almacenamiento. Existen opciones de embalaje personalizadas, como unidades selladas al vacío o acolchado adicional, que se adaptan a los requisitos específicos de manipulación y envío.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo afecta la película de AlN de 500 nm al rendimiento del dispositivo?
R1: La película de AlN de 500 nm ofrece una capa dieléctrica controlada con baja densidad de defectos, lo que minimiza los efectos parásitos en circuitos de alta frecuencia. Esta capa uniforme favorece una integración precisa en la fabricación de semiconductores al garantizar unas propiedades eléctricas y térmicas uniformes en todo el sustrato.

P2: ¿Qué condiciones de almacenamiento se recomiendan para este sustrato?
R2: El sustrato debe almacenarse en un entorno de temperatura controlada y baja humedad para proteger la película de AlN de la humedad y la contaminación por partículas. El uso de embalajes antiestáticos y acolchados ayuda a evitar daños mecánicos y mantiene la integridad de la película a lo largo del tiempo.

P3: ¿Es compatible el sustrato con los equipos estándar de procesamiento de silicio?
A3: Sí, la base de silicio de 2 pulgadas y la capa controlada de AlN están diseñadas para integrarse en los procesos habituales de fabricación de semiconductores. El grosor bien definido y la orientación cristalográfica permiten la compatibilidad con los protocolos de fabricación de dispositivos establecidos.

Información adicional

Los sustratos cerámicos como los basados en nitruro de aluminio son fundamentales en aplicaciones en las que la gestión térmica y el aislamiento eléctrico son esenciales. Las propiedades intrínsecas del AlN, incluidas su conductividad térmica y su rendimiento dieléctrico, lo hacen adecuado para su uso en aplicaciones de envasado electrónico y dispositivos de potencia.

La integración de una película de AlN sobre silicio proporciona un equilibrio entre las propiedades mecánicas del silicio y las características eléctricas del AlN. Esta combinación favorece los avances en el procesamiento de semiconductores, ya que aborda los retos de la disipación del calor y la miniaturización de los dispositivos, al tiempo que mantiene la estabilidad dimensional y la compatibilidad de los procesos.