AL10295 Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre zafiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm

Plantilla de Nitruro de Aluminio AlN no dopado sobre zafiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm Descripción

Este sustrato presenta una capa de nitruro de aluminio de crecimiento epitaxial sobre una base de zafiro (Al2O3) con orientación (0001). Las dimensiones de 10x10 mm garantizan la compatibilidad con los equipos estándar de procesamiento de semiconductores, mientras que el espesor de la película de 1000 nm desempeña un papel crucial en el rendimiento dieléctrico y la gestión térmica. La naturaleza no dopada de la película minimiza la interferencia de impurezas, optimizando su uso en circuitos de alta frecuencia y en la fabricación de componentes electrónicos.

Plantilla de nitruro de aluminio no dopado AlN sobre zafiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm Aplicaciones

Aplicaciones electrónicas
- Se utiliza como capa aislante en circuitos de RF para conseguir una capacitancia parásita reducida aprovechando la alineación cristalina controlada de la película.
- Aplicado como barrera dieléctrica en electrónica de potencia para mitigar el estrés térmico utilizando su alta conductividad térmica.

Aplicaciones industriales
- Utilizado como componente de sustrato en módulos de sensores para garantizar una salida de señal estable aprovechando la morfología uniforme de la película.
- Se aplica en sistemas de control de procesos a alta temperatura para mantener el aislamiento eléctrico aprovechando su inercia química.

Plantilla de nitruro de aluminio AlN no dopado sobre zafiro Al2O3 (0001) 10x10 mmx1000 nm Embalaje

El sustrato se embala en soportes disipadores de estática y se amortigua con inserciones de espuma para mitigar los impactos mecánicos. Se sella en una bolsa con barrera contra la humedad para evitar la contaminación durante el transporte. Se recomienda almacenarlo en un entorno limpio y a temperatura controlada para mantener la integridad del material. Se pueden solicitar envases personalizados con medidas adicionales anticontaminación y de amortiguación.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo afecta la deposición epitaxial al rendimiento del sustrato?
R1: La deposición epitaxial establece una estructura cristalina uniforme que mejora la consistencia dieléctrica y la conductividad térmica esenciales en los dispositivos semiconductores. Este crecimiento controlado minimiza la densidad de defectos y facilita la integración precisa con otros componentes electrónicos.

P2: ¿Qué procedimientos especiales de manipulación se recomiendan para este sustrato?
R2: El sustrato debe manipularse en un entorno de sala blanca con precauciones antiestáticas. Debe almacenarse a temperatura y humedad controladas para evitar la degradación de la película de AlN y mantener la integridad de la base de zafiro.

P3: ¿Puede someterse el sustrato a modificaciones adicionales posteriores al procesamiento?
R3: Sí, el sustrato se puede personalizar después de la deposición para integraciones de dispositivos específicos, como el adelgazamiento, el pulido o la creación de patrones. Estas modificaciones se realizan bajo estrictos protocolos de sala blanca para preservar las propiedades inherentes del material.

Información adicional

Los sustratos cerámicos de nitruro de aluminio (AlN) se utilizan ampliamente en aplicaciones que requieren una alta conductividad térmica y aislamiento eléctrico. La naturaleza no dopada de la película de AlN minimiza la dispersión de impurezas, lo que resulta crucial para lograr un comportamiento uniforme del material en condiciones de alta potencia y alta frecuencia.

La integración de AlN sobre zafiro (Al2O3) combina las propiedades de gestión térmica del nitruro de aluminio con la superficie lisa y estable que proporciona el zafiro. Esta combinación favorece los procesos semiconductores avanzados, especialmente en áreas que exigen una baja densidad de defectos y una alta integridad estructural para un rendimiento eficaz de los dispositivos.