AL10293 Oblea de zafiro Al2O3 A plano (11-20) 100 mm x0,5 mm

Oblea de zafiro Al2O3 A plano (11-20) 100 mm x0,5 mm Descripción

La oblea de zafiro Al2O3 A plano (11-20) 100 mm x0,5 mm se fabrica a partir de Al2O3 de gran pureza con una orientación cristalográfica especificada (11-20). El diámetro de 100 mm y el grosor de 0,5 mm garantizan la compatibilidad con los equipos estándar de procesamiento de semiconductores. Su inercia química minimiza los riesgos de contaminación durante la fabricación del dispositivo. La estructura monocristalina del material, con un mínimo de dislocaciones, es ideal para aplicaciones que requieren una alta calidad superficial y una orientación controlada.

Oblea de zafiro Al2O3 A plano (11-20) 100 mm x0,5 mm Aplicaciones

Electrónica y fabricación de semiconductores
- Utilizado como sustrato en la fabricación de LED y dispositivos microelectrónicos para lograr una disipación controlada del calor aprovechando su alta conductividad térmica.
- Aplicado como capa base para el crecimiento epitaxial en dispositivos semiconductores para mejorar la uniformidad de la capa utilizando su bajo desajuste de red.

Optoelectrónica
- Sirve como sustrato dieléctrico en componentes ópticos para mejorar la transmisión de la luz aprovechando su alta transparencia en el espectro visible.
- Se emplea en plataformas de sensores para conseguir un aislamiento eléctrico estable aprovechando su gran inercia química.

Oblea de zafiro Al2O3 plano A (11-20) 100 mm x0,5 mm Embalaje

La oblea se envasa individualmente en bolsas disipadoras de estática y selladas al vacío para reducir la contaminación por partículas y la tensión mecánica. Cada unidad se acolcha dentro de insertos de espuma antivibraciones y se almacena en contenedores rígidos de temperatura controlada. Este método de envasado mantiene la integridad del producto frente a las fluctuaciones ambientales. El etiquetado personalizado y el envasado compartimentado están disponibles para cumplir con normas específicas de laboratorio o industriales.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Qué factores influyen en la integridad estructural de la oblea de zafiro durante el procesamiento?
R1: La integridad de la oblea depende del control preciso de las condiciones de crecimiento del cristal y de los tratamientos superficiales posteriores a la fabricación. Los análisis SEM y de perfilometría son esenciales para detectar microfisuras y variaciones de grosor que puedan afectar al rendimiento en la fabricación de dispositivos semiconductores.

P2: ¿Cómo afecta la orientación (11-20) al rendimiento del sustrato en los procesos de alta temperatura?
A2: La orientación (11-20) presenta propiedades térmicas definidas que contribuyen a la disipación del calor, reduciendo el estrés térmico durante el procesamiento a alta temperatura. Esta orientación controlada favorece una distribución uniforme de la temperatura en aplicaciones críticas.

P3: ¿Se puede personalizar la oblea para integrarla en flujos de trabajo de fabricación específicos?
A3: Las opciones de personalización incluyen modificaciones en las dimensiones de la oblea, el grosor y el pulido opcional de la superficie. Estos ajustes pueden adaptarse a los requisitos de equipos específicos, garantizando la compatibilidad con diversos protocolos de procesamiento de semiconductores.

Información adicional

Los sustratos de zafiro, compuestos de Al2O3, son valorados en la ciencia de los materiales por su gran estabilidad química y sus excepcionales propiedades térmicas. Su estructura monocristalina minimiza los defectos, lo que resulta crucial para lograr un rendimiento superior de los dispositivos en aplicaciones de semiconductores y optoelectrónica. Los investigadores siguen estudiando estos sustratos para mejorar su integración con las tecnologías emergentes.

La orientación cristalográfica controlada y la calidad constante de la superficie de las obleas de zafiro son fundamentales para garantizar un comportamiento reproducible del material durante los procesos de fabricación de alta precisión. Las caracterizaciones técnicas, como la difracción de rayos X y la microscopía electrónica, apoyan la mejora continua de estos sustratos para aplicaciones industriales avanzadas.