AL10288 Oblea de Zafiro Al2O3 R Plano Dia. 3 pulgadas x 0,5 mm 45° fuera del eje C

Sapphire Wafer Al2O3 R Plane 3" Dia x0.5 mm 45° off C-axis Descripción

La oblea Sapphire Wafer Al2O3 R Plane se fabrica a partir de óxido de aluminio de gran pureza (Al2O3) con una orientación definida de 45° en sentido contrario a las agujas del reloj desde la proyección del eje C sobre el plano R. El diámetro de 3 pulgadas y el grosor de 0,5 mm cumplen los requisitos estándar de procesamiento de semiconductores. Esta orientación mejora la uniformidad de la estructura reticular y favorece la fabricación precisa de dispositivos, al tiempo que reduce la incidencia de defectos durante el procesamiento a alta temperatura.

Oblea de zafiro Al2O3 R Plano 3" Dia x0.5 mm 45° off C-axis Aplicaciones

Electrónica y semiconductores
- Utilizado como sustrato en circuitos integrados para conseguir vías de electrones controladas aprovechando su precisa alineación en el plano R.
- Aplicado como base para componentes de RF para mejorar la estabilidad dieléctrica utilizando su composición de Al2O3 de alta pureza.

Sistemas industriales y de sensores
- Sirve de soporte en módulos sensores de alta temperatura para mantener la estabilidad dimensional aprovechando la resistencia térmica del Al2O3.
- Se utiliza con frecuencia en dispositivos optoelectrónicos para mejorar la claridad óptica garantizando una superficie cristalina lisa y con pocos defectos.

Oblea de zafiro Al2O3 R Plano 3" Dia x0,5 mm 45° fuera del eje C Embalaje

La oblea se embala en un contenedor antiestático revestido de espuma que la protege contra los golpes mecánicos y la contaminación. El almacenamiento requiere un entorno de temperatura controlada y baja humedad para evitar la oxidación. Existen opciones de envasado personalizadas, como bandejas compartimentadas y etiquetado especializado, para cumplir protocolos de manipulación específicos.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo influye la orientación específica del plano R en el procesamiento del dispositivo?
R1: El desplazamiento de 45° en sentido contrario a las agujas del reloj con respecto a la proyección del eje C proporciona una red cristalina consistente que mejora la precisión de la litografía y la uniformidad del grabado. Esta alineación reduce los riesgos de anomalías durante la integración del dispositivo, ayudando a mantener la consistencia del proceso.

P2: ¿Qué métodos de control de calidad se utilizan para evaluar la pureza y la estructura del material?
A2: El material se somete a análisis de difracción de rayos X de alta resolución y microscopía electrónica de barrido. Estos métodos evalúan la orientación cristalina y detectan defectos menores, garantizando que las propiedades estructurales de la oblea cumplen los estrictos requisitos del proceso.

P3: ¿Cómo debe manipularse la oblea para mantener la calidad de su superficie?
A3: La manipulación debe realizarse en un entorno de sala limpia utilizando herramientas antiestáticas. La oblea debe almacenarse en su embalaje protector sellado en condiciones de temperatura controlada y baja humedad para evitar la contaminación de la superficie y los daños mecánicos.

Información adicional

El óxido de aluminio (Al2O3) se utiliza ampliamente debido a su gran estabilidad térmica, dureza e inercia química. Su estructura cristalina desempeña un papel fundamental en la determinación de las características físicas necesarias para las aplicaciones avanzadas de semiconductores y optoelectrónica.

Comprender el impacto de la orientación cristalográfica en el comportamiento del sustrato es esencial para optimizar el rendimiento de los dispositivos. La investigación en este campo explora continuamente el equilibrio entre la minimización de defectos y la alineación precisa, lo que influye directamente en el rendimiento y la funcionalidad en entornos de producción de alta tecnología.