AL10285 Oblea de zafiro Al2O3 M Plano (10-10) Dia. 3 pulgadas x 0,5 mm

Oblea de zafiro Al2O3 M Plano (10-10) Dia. 3 pulgadas x 0,5 mm Descripción

La oblea de zafiro Al2O3 M Plane (10-10) Dia. 3 pulgadas x 0,5 mm utiliza Al2O3 de gran pureza para proporcionar un sustrato con una orientación de plano M (10-10). Su diámetro de 3 pulgadas y su grosor de 0,5 mm garantizan la compatibilidad con los equipos estándar de procesamiento de semiconductores. La orientación cristalográfica especificada contribuye al crecimiento uniforme de la capa epitaxial y reduce la densidad de defectos durante la deposición de la película. Esta calidad precisa del sustrato es fundamental para las aplicaciones que requieren propiedades controladas de la película y reproducibilidad del proceso.

Oblea de zafiro Al2O3 M Plano (10-10) Dia. 3 pulgadas x 0,5 mm Aplicaciones

1.Fabricación de electrónica y semiconductores
- Utilizado como sustrato en la fabricación de LED y transistores para lograr una deposición uniforme de la película aprovechando su precisa orientación en el plano M.
- Se utiliza como base en el montaje de dispositivos de alta frecuencia para mejorar la integridad de la señal gracias a su estabilidad e inercia química.

2.Optoelectrónica
- Sirve de plataforma en estructuras de diodos láser para mejorar la coherencia de la capa activa aprovechando su estructura cristalina uniforme.
- Se utiliza en dispositivos fotónicos para minimizar las pérdidas por dispersión gracias a sus características superficiales controladas.

Oblea de zafiro Al2O3 M Plano (10-10) Dia. 3 pulgadas x 0,5 mm Embalaje

La oblea se embala en un contenedor antiestático diseñado a medida y revestido de espuma blanda para evitar daños físicos y contaminación. Cada oblea se sella en una bolsa de atmósfera inerte para protegerla contra la entrada de humedad y partículas. Las recomendaciones de almacenamiento incluyen condiciones frescas y secas, mientras que las opciones de personalización, como el etiquetado individual y los insertos modulares, están disponibles para satisfacer diversos requisitos de manipulación y almacenamiento.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Qué técnicas de procesamiento se utilizan para verificar la calidad de la superficie de la oblea?
R1: La oblea se somete a una evaluación de la superficie mediante microscopía óptica de alta resolución e interferometría. Esta inspección identifica los defectos superficiales y verifica la planitud, garantizando que la oblea cumple los estrictos requisitos de los procesos de deposición.

P2: ¿Cómo afecta la orientación del plano M (10-10) al crecimiento de la capa fina?
A2: La orientación M Plane (10-10) garantiza una disposición atómica uniforme en la superficie, lo que facilita la nucleación y el crecimiento uniforme de las películas epitaxiales. Esto contribuye a minimizar la densidad de defectos y a mejorar el rendimiento eléctrico en los dispositivos semiconductores.

P3: ¿Qué protocolos de almacenamiento se recomiendan para mantener la integridad de la oblea?
R3: La oblea debe almacenarse en un entorno controlado con baja humedad y temperatura estable para evitar la contaminación y mantener las propiedades de la superficie. Durante el almacenamiento y el transporte es esencial utilizar un embalaje protector que minimice las vibraciones y la exposición a partículas.

Información adicional

Los sustratos de óxido de aluminio (Al2O3) desempeñan un papel crucial en diversas aplicaciones semiconductoras y optoelectrónicas debido a su estabilidad térmica e inercia química. La orientación cristalográfica, particularmente el plano M (10-10) en este caso, es vital para optimizar el crecimiento epitaxial de películas delgadas, asegurando una deposición consistente a través de las capas del dispositivo. Los investigadores suelen tener en cuenta estos factores a la hora de seleccionar sustratos para aplicaciones sensibles.

Los protocolos detallados de ingeniería de superficies y procesamiento de materiales utilizados en estas obleas permiten conocer las técnicas avanzadas de preparación de sustratos. La comprensión de estos métodos ayuda a predecir el comportamiento de las obleas durante los subsiguientes procesos de fabricación de dispositivos, contribuyendo así a la optimización general del rendimiento de los dispositivos en entornos industriales.