AL10267 Oblea de zafiro Al2O3 R plano 0,5 pulgadas x0,5 pulgadas x0,5 mm

Sapphire Wafer Al2O3 R plane 0.5 inch x0.5 inch x0.5 mm Descripción

Sapphire Wafer Al2O3 R plane 0.5 inch x0.5 inch x0.5 mm es un sustrato de óxido de aluminio de gran pureza con una orientación específica R-plane. Sus dimensiones compactas facilitan la integración con equipos estándar de procesamiento de semiconductores. El corte en el plano R mejora la uniformidad de la superficie, que es fundamental para minimizar la propagación de dislocaciones en la fabricación de dispositivos. La inercia química y la dureza mecánica del material ofrecen ventajas en entornos que requieren una gran estabilidad térmica y química.

Oblea de zafiro Al2O3 R plano 0,5 pulgadas x0,5 pulgadas x0,5 mm Aplicaciones

Electrónica y semiconductores
- Utilizado como sustrato en sistemas de deposición de película fina para lograr un crecimiento uniforme de la película aprovechando la orientación precisa del cristal.
- Aplicado como base para elementos sensores de alta temperatura para permitir un funcionamiento estable en entornos térmicos difíciles beneficiándose de la estabilidad térmica del Al2O3.

Optoelectrónica
- Sirve de plataforma en la fabricación de LED para mejorar la eficiencia de extracción de luz utilizando su alta claridad óptica.
- Se utiliza con frecuencia en soportes de diodos láser para mantener la integridad estructural bajo altas densidades de corriente operativa gracias a su dureza superior.

Oblea de zafiro Al2O3 R plano 0,5 pulgadas x0,5 pulgadas x0,5 mm Embalaje

Sapphire Wafer Al2O3 R plane 0.5 inch x0.5 inch x0.5 mm se presenta en un contenedor acolchado antiestático para mitigar la tensión mecánica y evitar la contaminación por partículas. El uso de materiales inertes y resistentes a la humedad garantiza la protección durante el transporte y el almacenamiento. El embalaje está diseñado para controlar la exposición ambiental y puede incluir etiquetado y compartimentación personalizados en función de los requisitos específicos de manipulación.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo afecta la orientación del plano R al rendimiento del sustrato?
R1: La orientación del plano R promueve una disposición atómica uniforme, facilitando la deposición uniforme de la película y reduciendo la propagación de defectos durante la fabricación del dispositivo. El resultado es una mejora de los rendimientos de procesamiento y del rendimiento de los dispositivos en condiciones de fabricación de alta precisión.

P2: ¿Qué medidas se toman para controlar los niveles de impurezas en la oblea?
A2: El proceso de producción incluye rigurosos controles ambientales y metrología de superficie, como inspecciones SEM, para supervisar y minimizar las impurezas. Este protocolo garantiza que la oblea mantenga el alto nivel de pureza necesario para las aplicaciones de semiconductores avanzados.

P3: ¿Es posible integrar esta oblea en equipos estándar de procesamiento de semiconductores?
A3: Sí, el tamaño compacto de la oblea y la superficie uniforme del plano R son compatibles con las herramientas estándar de procesamiento de semiconductores. Esta compatibilidad facilita la integración en diversos procesos de fabricación microelectrónica sin necesidad de realizar grandes modificaciones en los equipos.

Información adicional

El óxido de aluminio, conocido como Al2O3, se utiliza ampliamente en materiales de sustrato debido a su excelente estabilidad térmica y química. Su elevado punto de fusión y su resistencia mecánica lo hacen adecuado para el procesamiento a altas temperaturas y para aplicaciones en las que la durabilidad del material es primordial. El corte en el plano R proporciona específicamente una orientación cristalográfica bien definida que ayuda a lograr una deposición consistente de la película.

En el contexto más amplio de la ciencia de los materiales, sustratos como las obleas de zafiro contribuyen significativamente al avance de los dispositivos microelectrónicos y optoelectrónicos. El control detallado de las propiedades cristalográficas y la densidad de defectos es fundamental para garantizar el rendimiento y la longevidad de los componentes de alta tecnología en entornos industriales competitivos.