AL10256 Oblea de zafiro Al2O3 Plano C (0001) 10x10x0,25 mm

Oblea de zafiro Al2O3 plano C (0001) 10x10x0,25 mm Descripción

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 10x10x0,25 mm es un sustrato monocristalino compuesto de óxido de aluminio (Al2O3). Las dimensiones de 10x10 mm con un grosor de 0,25 mm garantizan la compatibilidad con los equipos estándar de procesamiento de semiconductores. Su orientación (0001) en el plano C proporciona una superficie cristalina uniforme esencial para el crecimiento epitaxial y los dispositivos ópticos de alto rendimiento. La inercia química inherente y la elevada estabilidad térmica favorecen las aplicaciones que requieren propiedades exigentes del material.

Oblea de zafiro Al2O3 Plano C (0001) 10x10x0,25 mm Aplicaciones

Electrónica
- Se utiliza como sustrato en circuitos integrados para mitigar los defectos de interfaz aprovechando su estructura cristalina uniforme.

Sistemas ópticos
- Se utiliza como ventana óptica en ensamblajes de sensores para resolver los problemas de dispersión de la luz gracias a la planitud uniforme de su superficie.

Industrial
- Se utiliza como componente en equipos de procesamiento a alta temperatura para mantener las propiedades de aislamiento gracias a su estabilidad térmica.

Oblea de zafiro Al2O3 plano C (0001) 10x10x0,25 mm Embalaje

La oblea se embala en bolsas antiestáticas de baja energía superficial y se introduce en contenedores acolchados de material inerte para minimizar el impacto mecánico y la contaminación. Se recomienda el almacenamiento en entornos limpios con temperatura y humedad controladas para preservar la integridad del material. Existen opciones de embalaje rígido personalizadas, que incluyen la compartimentación y el etiquetado, para adaptarse a los requisitos específicos de transporte y almacenamiento.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Cómo se controla la planitud de la superficie durante la fabricación?
R1: La oblea se somete a inspecciones de microscopía de fuerza atómica e interferometría láser para garantizar la planitud de la superficie dentro de tolerancias micrométricas. Estos métodos miden eficazmente la rugosidad y detectan defectos menores que podrían afectar al procesamiento posterior.

P2: ¿Qué papel desempeña la orientación del plano C (0001) en el rendimiento del sustrato?
R2: La orientación (0001) proporciona un plano de clivaje uniforme, que mejora la precisión de la deposición epitaxial. Esta alineación considerada mejora la calidad de la interfaz para aplicaciones ópticas y de semiconductores.

P3: ¿Cómo se minimiza la densidad de defectos durante la producción?
A3: SAM emplea un procesamiento térmico controlado y rigurosas inspecciones en línea con herramientas de metrología para detectar y reducir los defectos. Este enfoque garantiza que la oblea alcance la consistencia necesaria para la fabricación de dispositivos electrónicos de gama alta.

Información adicional

El óxido de aluminio en su forma monocristalina, comúnmente conocida como zafiro, presenta una gran dureza, una excelente conductividad térmica y una gran inercia química. Estas propiedades lo convierten en una elección frecuente para sustratos en aplicaciones electrónicas y ópticas en las que el rendimiento duradero del material es esencial. La comprensión de la orientación cristalográfica también ayuda a seleccionar el material para procesos de fabricación específicos.

La producción de obleas de zafiro implica un crecimiento controlado de los cristales y amplias evaluaciones posteriores al procesamiento. Los investigadores e ingenieros confían en las caracterizaciones detalladas de los materiales para integrar estos sustratos en dispositivos avanzados, garantizando que tanto la compatibilidad de los equipos de procesamiento como las demandas específicas de la aplicación se satisfagan mediante una ingeniería de materiales precisa.