AL10243 Oblea de zafiro Al2O3 Plano C (0001) 1 pulgada x 1 pulgada x 0,5 mm

Oblea de zafiro Al2O3 plano C (0001) 1 pulgada x 1 pulgada x 0,5 mm Descripción

Sapphire Wafer Al2O3 C-plane (0001) 1 inch x 1 inch x 0.5 mm es un sustrato de alta pureza cortado de óxido de aluminio con una orientación cristalográfica específica (0001). El tamaño de 1 pulgada por 1 pulgada con un grosor de 0,5 mm garantiza la compatibilidad con los equipos de procesamiento estándar. Su acabado superficial controlado favorece el crecimiento epitaxial y minimiza la densidad de defectos. La transparencia óptica inherente facilita la inspección precisa de la superficie y la verificación de la calidad a lo largo de los procesos de fabricación de semiconductores.

Oblea de zafiro Al2O3 plano C (0001) 1 pulgada x 1 pulgada x 0,5 mm Aplicaciones

Electrónica
- Utilizado como sustrato en la fabricación de LED para lograr una emisión de luz uniforme aprovechando la superficie del plano C minimizada en defectos.
- Se utiliza como capa base en circuitos de microondas para reducir la pérdida de señal gracias a sus propiedades de baja pérdida dieléctrica.

Industrial
- Se utiliza como barrera aislante en electrónica de potencia para reducir la degradación térmica aprovechando su alta resistencia al calor.
- Se aplica como capa protectora en ensamblajes de sensores para mitigar la oxidación aprovechando la inercia química del material.

Oblea de zafiro Al2O3 plano C (0001) 1 pulgada x 1 pulgada x 0,5 mm Embalaje

La oblea se sujeta en un contenedor antiestático a prueba de polvo con acolchado de espuma para minimizar el impacto mecánico. Se sella en un embalaje con control de humedad y se almacena a temperatura ambiente para evitar la contaminación y preservar la integridad de la superficie. Hay disponibles bolsas opcionales selladas al vacío y etiquetado personalizado para entornos que requieren un estricto control de partículas y trazabilidad.

Preguntas más frecuentes

P1: ¿Qué técnicas utiliza SAM para verificar la planitud de las obleas y la densidad de defectos?
R1: SAM emplea microscopía óptica combinada con análisis interferométrico para cuantificar con precisión la planitud de la superficie e identificar defectos a microescala. Estas mediciones proporcionan datos esenciales para mantener la uniformidad necesaria en los procesos posteriores de semiconductores.

P2: ¿Cómo beneficia la orientación del plano C (0001) al rendimiento del sustrato?
A2: La orientación del plano C (0001) garantiza una estructura reticular uniforme, que favorece el crecimiento uniforme de la película epitaxial y minimiza los defectos superficiales. Esta orientación contribuye a reducir las pérdidas por dispersión durante las inspecciones ópticas y mejora la precisión del procesado.

P3: ¿Se pueden personalizar las dimensiones de las obleas para que sean compatibles con equipos específicos?
R3: Es posible personalizar las dimensiones de las obleas en función de los requisitos del proceso. Las solicitudes específicas relativas al diámetro o al grosor se revisan para garantizar que los parámetros de crecimiento cristalino y la uniformidad del proceso se mantengan dentro de límites aceptables. Se recomienda la coordinación con el equipo técnico de SAM.

Información adicional

Los sustratos de zafiro, compuestos de óxido de aluminio (Al2O3), se utilizan ampliamente en el procesamiento de semiconductores debido a su excelente conductividad térmica e inercia química. Sus propiedades cristalográficas únicas facilitan la deposición uniforme de capas epitaxiales, lo que los hace adecuados para aplicaciones de alta precisión en las que la calidad de la superficie es crítica.

Los recientes avances en los métodos de crecimiento de cristales y análisis de superficies han ampliado la aplicabilidad de las obleas de zafiro en electrónica y optoelectrónica. Estos sustratos sirven como componentes estructurales y aislantes, lo que favorece la miniaturización de los dispositivos y mejora su rendimiento en entornos de altas temperaturas y frecuencias.