Mejora de la movilidad de los transistores de óxido de indio, galio y zinc mediante cristalización a baja temperatura con una capa catalítica de tántalo

Título	Mejora de la movilidad de los transistores de óxido de indio, galio y zinc mediante cristalización a baja temperatura con una capa catalítica de tántalo
Autores	Yeonwoo Shin, Sang Tae Kim, Kuntae Kim, Mi Young Kim, Saeroonter Oh, Jae Kyeong Jeong
Revista	Informes científicos
Fecha	09/07/2017
DOI	10.1038/s41598-017-11461-0
Introducción	Los transistores de película fina (TFT) de óxido de indio, galio y zinc (IGZO) de alta movilidad se han mejorado mediante un proceso de cristalización a baja temperatura facilitado por una capa catalítica de metal de transición. Los TFT de IGZO amorfos convencionales suelen requerir temperaturas de recocido de 600 °C o superiores para que cristalice la capa activa, lo que los hace inadecuados para pantallas con sustrato de vidrio. Sin embargo, cuando el IGZO está en contacto con una capa de tántalo (Ta), la temperatura de cristalización desciende considerablemente. La cristalización parcial en el canal posterior del IGZO puede lograrse con un recocido a 300 °C, y la cristalización completa de la capa activa se produce a 400 °C. Este proceso aumenta la movilidad de efecto de campo a 54,0 cm²/V-s en comparación con los 18,1 cm²/V-s de los TFT de IGZO amorfo sin capa catalítica. Esta investigación presenta un método sencillo y eficaz para mejorar el rendimiento de los dispositivos mediante la cristalización de la capa de IGZO utilizando temperaturas de recocido estándar, eliminando la necesidad de costosos procesos de irradiación láser.
Cita	Yeonwoo Shin, Sang Tae Kim y Kuntae Kim et al. The Mobility Enhancement of Indium Gallium Zinc Oxide Transistors via Low-temperature Crystallization using a Tantalum Catalytic Layer. Sci Rep. 2017. Vol. 7. DOI: 10.1038/s41598-017-11461-0
Elemento	Indio (In) , Galio (Ga) , Zinc (Zn) , Tántalo (Ta)
Materiales	Óxidos
Industria	Electrónica

Documentos relacionados

Cargando... Por favor, espere...

Publique sus investigaciones y artículos en el sitio web de SAM

Descargo de responsabilidad

Esta página proporciona solo los metadatos de trabajos académicos para ayudar a las personas a localizar fácilmente la información relevante. Para acceder al contenido completo de los trabajos, utilice el DOI para visitar el sitio web del editor original. Los datos provienen de bases de datos académicas de acceso público y cumplen con los términos de uso de estas plataformas. Si tiene alguna preocupación sobre derechos de autor, por favor contáctenos. Abordaremos su solicitud de manera inmediata

¡Éxito! Ahora estás suscrito

¡Te has suscrito con éxito! Revisa pronto tu bandeja de entrada para ver los excelentes correos electrónicos de este remitente.

Mejora de la movilidad de los transistores de óxido de indio, galio y zinc mediante cristalización a baja temperatura con una capa catalítica de tántalo

¡Éxito! Ahora estás suscrito

¿NECESITAS AYUDA?

CATEGORÍAS POPULARES

NUESTRA EMPRESA

Mejora de la movilidad de los transistores de óxido de indio, galio y zinc mediante cristalización a baja temperatura con una capa catalítica de tántalo

SUSCRÍBETE A NUESTRO NEWSLETTER

¡Éxito! Ahora estás suscrito

¿NECESITAS AYUDA?

CATEGORÍAS POPULARES

NUESTRA EMPRESA