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    • Dispositivos de óxido de tántalo memristato para aritmética ternaria

    Título Dispositivos de óxido de tántalo memristato para aritmética ternaria
    Autores Wonjoo Kim, Anupam Chattopadhyay, Anne Siemon, Eike Linn, Rainer Waser, Vikas Rana
    Revista Informes científicos
    Fecha 11/11/2016
    DOI 10.1038/srep36652
    Introducción La memoria de acceso aleatorio por conmutación resistiva (ReRAM) basada en redox se perfila como una tecnología prometedora para futuras soluciones de memoria no volátil. Recientemente ha aumentado el interés por las ReRAM de dos estados para la aplicación de la lógica booleana. En este estudio se presentan dispositivos de óxido de tántalo de siete estados que facilitan la aritmética modular intrínseca mediante un sistema numérico ternario. La aritmética modular, bien conocida desde los tiempos de Euclides, encuentra aplicaciones en campos tan diversos como el comercio electrónico y la notación musical. Los dispositivos multiestado reducen significativamente el espacio de almacenamiento y permiten nuevas operaciones en memoria, como la computación con sistemas numéricos de alta radix, que son inviables con dispositivos de dos estados. Los sistemas de alto radix disminuyen la complejidad computacional al reducir los requisitos de dígitos, con lo que disminuye el número de operaciones de cálculo y dispositivos lógicos necesarios.
    Cita Wonjoo Kim, Anupam Chattopadhyay y Anne Siemon et al. Multistate Memristive Tantalum Oxide Devices for Ternary Arithmetic. Sci Rep. 2016. Vol. 6. DOI: 10.1038/srep36652
    Elemento Tántalo (Ta)
    Materiales Óxidos
    Temas Nanotecnología y nanomateriales
    Industria Electrónica
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