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    • Silicio altamente enriquecido en 28Si mediante implantación localizada de haces de iones focalizados

    Título Silicio altamente enriquecido en 28Si mediante implantación localizada de haces de iones focalizados
    Autores Ravi Acharya, Maddison Coke, Mason Adshead, Kexue Li, Barat Achinuq, Rongsheng Cai, A. Baset Gholizadeh, Janet Jacobs, Jessica L. Boland, Sarah J. Haigh, Katie L. Moore, David N. Jamieson, Richard J. Curry
    Revista Material de comunicación
    Fecha 05/07/2024
    DOI 10.1038/s43246-024-00498-0
    Introducción Los qubits de espín de estado sólido en cristales de silicio a temperaturas miliKelvin son prometedores para la computación cuántica escalable. El silicio natural limita la coherencia de los qubits debido al espín nuclear del isótopo 29Si. Este estudio presenta un método para reducir el 29Si en regiones locales de obleas de silicio utilizando un haz de iones 28Si de 45 keV con alta fluencia. El análisis mediante espectrometría de masas de iones secundarios a nanoescala muestra una reducción significativa de la concentración de 29Si y niveles de C y O residuales comparables a los de las obleas no implantadas. Tras el recocido, la microscopía electrónica de transmisión confirma la recristalización epitaxial en fase sólida de la capa amorfa enriquecida que se extiende a más de 200 nm de profundidad.
    Cita Ravi Acharya, Maddison Coke y Mason Adshead et al. Silicio altamente enriquecido con 28Si mediante implantación localizada de haces de iones focalizados. Commun Mater. 2024. Vol. 5(1). DOI: 10.1038/s43246-024-00498-0
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