GR5854 Monocapa de grafeno CVD sobre sustrato de Cu/Cobre

Catálogo No.	GR5854
Dimensiones	5cm*5cm
Material	Cu

Elgrafeno monocapa sobre sustrato de cobre/cu se refiere a un método específico de síntesis de grafeno, una sola capa de átomos de carbono dispuestos en una red hexagonal, sobre una superficie de cobre mediante técnicas de deposición química de vapor. Stanford Advanced Materials (SAM) es experta en suministrar grafeno monocapa de gran pureza a precios competitivos.

CONSULTA

Añadir a la comparación

CVD Monolayer Graphene on Cu/Copper Substrate

Descripción

Especificación

Opiniones

Comparar artículos similares

Mostrar diferencias

Este artículo

GR5854 Monocapa de grafeno CVD sobre sustrato de Cu/Cobre

Agregar a la lista

Dimensiones

5cm*5cm

Material

OX0173 Nanopolvo de óxido de grafeno

Agregar a la lista

Espesor

0,7~1,2nm

Estándar

Método Hummers

Pureza

>99%

Formulario

Nanopolvo

M.O.Q

500 g

OX0174 Óxido de grafeno (5mg/mL, dispersión acuosa)

Agregar a la lista

Dimensiones

10 ~ 50 um

Espesor

1 ~ 8 monocapas

Pureza

>99%

M.O.Q

500 g

GR0178 Dispersión acuosa de óxido de grafeno (0,5mg/mL)

Agregar a la lista

Dimensiones

10 ~ 50 um

Espesor

0,7 ~ 1,2 nm

Pureza

>99%

M.O.Q

500 g

ÚLTIMAS RECOMENDACIONES

CB0182 Nanotubos de carbono (C)

Carbon Nanotubes Functionalized by OH or COOH

GR0400 Nanotubos de carbono funcionalizados con OH o COOH

PA0963 Palladium on carbon (Pd/C), Pd 0.5%,5%,10%,15%,20%

PA0963 Paladio sobre carbono (Pd/C) Polvo, Pd 0,5%,5%,10%,15%,20%

GR1693 Carbono (C) Cuenta / Esfera

GR1696 Carbonil Níquel (Ni) Polvo y Carbonil Níquel Líquido

U-shaped Molybdenum Disilicide (MoSi2) Heating Elements

MU1760 Elementos calefactores de disiliciuro de molibdeno (MoSi2) en forma de U

SC1763 Equal Diameter Silicon Carbon (SiC) Heating Rods

SC1763 Varilla calefactora de carburo de silicio (SiC) de igual diámetro

MU1764 Special Shape Molybdenum Disilicide (MoSi2) Heating Elements

MU1764 Elementos calefactores de disiliciuro de molibdeno (MoSi2) de forma especial

CONSIGUE UNA COTIZACIÓN

Envíenos una consulta hoy mismo para obtener más información y recibir los precios más recientes. ¡Gracias!

* Tu Nombre

* Su Correo Electrónico

Para agilizar el proceso, utilice la dirección de correo electrónico de su empresa.

* Nombre del producto

* Tu teléfono

* País

España

Comentarios

Me gustaría unirme a la lista de correo para recibir actualizaciones sobre Stanford Advanced Materials.

Adjunte dibujos:

Suelte los archivos aquí o

* Código de verificación

Tipos de archivos aceptados: PDF, png, jpg, jpeg. Se pueden cargar varios archivos a la vez; cada archivo debe tener un tamaño inferior a 2 MB.

Método de crecimiento	CVD (deposición química de vapor)
Aspecto	Transparente
Transparencia	>97%
Cobertura	>95%
Espesor (teórico)	0,345 nm
Espesor AFM	<1 nm
Movilidad de electrones en SiO2/Si	≈1500 cm2/V-s
Resistencia de lámina en SiO2/Si	350±40 Ohmios/cuadrado (1cm x1cm)
Tamaño de grano	Hasta 20 μm
Espesor de la lámina de Cu	18 μm
Rugosidad	~80 nm

Método de crecimiento	CVD (deposición química de vapor)
Aspecto	Transparente
Transparencia	>97%
Cobertura	>95%
Espesor (teórico)	0,345 nm
Espesor AFM	<1 nm
Movilidad de electrones en SiO2/Si	≈1500 cm2/V-s
Resistencia de lámina en SiO2/Si	350±40 Ohmios/cuadrado (1cm x1cm)
Tamaño de grano	Hasta 20 μm
Espesor de la lámina de Cu	18 μm
Rugosidad	~80 nm

GR5854 Monocapa de grafeno CVD sobre sustrato de Cu/Cobre

Descripción del grafeno monocapa CVD

Especificación del grafeno monocapa CVD

Aplicaciones del grafeno monocapa CVD

Embalaje del grafeno monocapa CVD

Especificación

Caso

OPINIONES DE LOS CLIENTES

Comparar artículos similares

ÚLTIMAS RECOMENDACIONES

CONSIGUE UNA COTIZACIÓN

¿NECESITAS AYUDA?

CATEGORÍAS MÁS POPULARES

NUESTRA EMPRESA