GR5855 Monocapa de grafeno CVD sobre sustrato SiO2

Catálogo No.	GR5855
Talla	5cm*5cm
Material	SiO2 / Cu
Contenido de la monocapa	>99%

Elgrafeno monocapa sobre sustrato de SiO2 se refiere a un método específico de síntesis de grafeno, una sola capa de átomos de carbono dispuestos en una red hexagonal, sobre una superficie de cobre mediante técnicas de deposición química de vapor. Stanford Advanced Materials (SAM) es experta en suministrar grafeno monocapa de gran pureza a precios competitivos.

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Especificación

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Especificación de la película de grafeno
Método de crecimiento	CVD (deposición química de vapor)
Aspecto	Transparente
Transparencia	>97%
Cobertura	>95%
Espesor (teórico)	0,345 nm
Espesor AFM	<1 nm
Movilidad de electrones en SiO2/Si	≈1500 cm2/V-s
Resistencia de lámina en SiO2/Si	350±40 Ohmios/cuadrado (1cm x1cm)
Tamaño de grano	Hasta 20 μm
Espesor de la lámina de Cu	18 μm
Rugosidad	~80 nm
Sustrato SiO2/Si
Espesor de óxido seco	90 nm (±5%)
Tipo/Dopante	P/B
Orientación	<100>
Superficie frontal	Pulida
Constante dieléctrica de la capa de SiO2	3.9

Especificación de la película de grafeno
Método de crecimiento	CVD (deposición química de vapor)
Aspecto	Transparente
Transparencia	>97%
Cobertura	>95%
Espesor (teórico)	0,345 nm
Espesor AFM	<1 nm
Movilidad de electrones en SiO2/Si	≈1500 cm2/V-s
Resistencia de lámina en SiO2/Si	350±40 Ohmios/cuadrado (1cm x1cm)
Tamaño de grano	Hasta 20 μm
Espesor de la lámina de Cu	18 μm
Rugosidad	~80 nm
Sustrato SiO2/Si
Espesor de óxido seco	90 nm (±5%)
Tipo/Dopante	P/B
Orientación	<100>
Superficie frontal	Pulida
Constante dieléctrica de la capa de SiO2	3.9

GR5855 Monocapa de grafeno CVD sobre sustrato SiO2

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