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  • Síntesis en capa fina del siliciuro de vanadio A15 superconductor sobre aislante

    • Síntesis en capa fina del siliciuro de vanadio A15 superconductor sobre aislante

    Título Síntesis en capa fina del siliciuro de vanadio A15 superconductor sobre aislante
    Autores Wenrui Zhang, Anthony T. Bollinger, Ruoshui Li, Kim Kisslinger, Xiao Tong, Mingzhao Liu, Charles T. Black
    Revista Informes científicos
    Fecha 01/27/2021
    DOI 10.1038/s41598-021-82046-1
    Introducción Esta investigación presenta un método novedoso para fabricar películas delgadas de la fase superconductora A15 del siliciuro de vanadio con una temperatura crítica superior a 13 K. Al promover la interdifusión entre una película metálica de vanadio y la capa de silicio en un sustrato de silicio sobre aislante a temperaturas que oscilan entre 650 y 750 °C, el método confina la disponibilidad del silicio, favoreciendo la fase A15 rica en vanadio. La verificación mediante espectroscopia de rayos X de energía dispersiva, espectroscopia de fotoelectrones de rayos X y difracción de rayos X confirma la estequiometría y la estructura. Las propiedades superconductoras se caracterizan por corrientes críticas que superan los 10^6 amperios por centímetro cuadrado a bajas temperaturas y un campo magnético crítico superior de 20 T, correlacionado con una longitud de coherencia superconductora de 4 nm. La elevada temperatura crítica hace que el siliciuro de vanadio A15 resulte atractivo para dispositivos y circuitos cuánticos compatibles con el silicio.
    Cita Wenrui Zhang, Anthony T. Bollinger y Ruoshui Li et al. Thin-film synthesis of superconductor-on-insulator A15 vanadium silicide. Sci Rep. 2021. DOI: 10.1038/s41598-021-82046-1
    Elemento Silicio (Si) , Vanadio (V)
    Materiales Siliciuros , Superconductores
    Industria Electrónica
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