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Crecimiento de película delgada sin deformación de dióxido de vanadio depositado sobre material de capas atómicas 2D de nitruro de boro hexagonal investigado por su dependencia del espesor del comportamiento de transición aislante-metal.

Título Crecimiento de película delgada sin deformación de dióxido de vanadio depositado sobre material de capas atómicas 2D de nitruro de boro hexagonal investigado por su dependencia del espesor del comportamiento de transición aislante-metal.
Autores Boyuan Yu, Shingo Genchi, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Hidekazu Tanaka
Revista Física Aplicada Express
Fecha 02/10/2025
DOI 10.35848/1882-0786/adaf09
Introducción Este estudio se centra en la creación de películas ultrafinas de dióxido de vanadio (VO2) sobre nitruro de boro hexagonal (hBN), un material bidimensional, para demostrar una transición metal-aislante distinta debido a la mínima interacción de van der Waals en sus superficies. Las películas de VO2 sobre hBN, con espesores de 10 a 40 nm, presentan transiciones metal-aislante similares a las del material a granel sin pérdida de rendimiento, como verifican la espectroscopia de dispersión Raman y las mediciones de transporte eléctrico. Estos resultados ponen de relieve el papel fundamental de la naturaleza bidimensional del hBN en la creación de películas finas de óxido sin deformación.
Cita Boyuan Yu, Shingo Genchi y Kenji Watanabe et al. Strain-free thin film growth of vanadium dioxide deposited on 2D atomic layered material of hexagonal boron nitride investigated by their thickness dependence of insulator-metal transition behavior. Appl. Phys. Express. 2025. Vol. 18(2):025502. DOI: 10.35848/1882-0786/adaf09
Elemento Vanadio (V) , Nitrógeno (N)
Materiales Óxidos
Temas Grafeno y materiales 2D
Industria Investigación y laboratorio
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