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    • Exploración de la banda prohibida superior de las capas atómicas de disulfuro de renio

    Título Exploración de la banda prohibida superior de las capas atómicas de disulfuro de renio
    Autores Krishna P. Dhakal,Hyunmin Kim,Seonwoo Lee,Youngjae Kim,JaeDong Lee,Jong-Hyun Ahn
    Revista Luz, ciencia y aplicaciones
    Fecha 11/28/2018
    DOI 10.1038/s41377-018-0100-3
    Introducción Este estudio se centra en la dinámica ultrarrápida de los portadores y los estados electrónicos de las películas exfoliadas de ReS2 mediante microscopía de generación de segundo armónico con resolución temporal (TSHG) y cálculos de teoría del funcional de la densidad (DFT). Observamos la generación de segundo armónico (SHG) de varios espesores utilizando un haz de 1,19-eV. Se observó un incremento hasta aproximadamente 13 nm, seguido de una reducción debida a la absorción interferométrica de la luz a granel. Un pulso de bombeo ajustado a la brecha de banda del excitón (1,57 eV) dio lugar a un perfil TSHG de decaimiento a aumento basado en el retardo de la sonda. La recombinación electrón-hueco está influenciada por defectos y superficies, con absorciones de dos fotones de 2,38 eV en el estado excitado restringidas debido a la correlación con transiciones orbitales prohibidas d-d intrasubshell. Utilizando una bomba de frecuencia duplicada (2,38 eV) junto con sondas SHG de longitud de onda variable (2,60-2,82 eV), detectamos variaciones en los perfiles TSHG de decaimiento a ascenso a ascenso a decaimiento, lo que sugiere un estado adicional de absorción de electrones (orbital s) aproximadamente a 5,05 eV de los estados orbitales moleculares de mayor ocupación. Este hallazgo se evaluó críticamente teniendo en cuenta las transiciones electrónicas y una pequeña brecha de banda superior (~0,5 eV) mediante cálculos DFT modificados.
    Cita Krishna P. Dhakal, Hyunmin Kim y Seonwoo Lee et al. Probing the upper band gap of atomic rhenium disulfide layers. 2018. DOI: 10.1038/s41377-018-0100-3
    Materiales Compuestos químicos
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