{{flagHref}}
Productos
  • Productos
  • Categorías
  • Blog
  • Podcast
  • Solicitud
  • Documento
|
|
/ {{languageFlag}}
Seleccionar Idioma
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Stanford Advanced Materials
Seleccionar Idioma
Stanford Advanced Materials {{item.label}}
Por favor, empiece a hablar
a

Superación del régimen térmico para la transición de Mott impulsada por campo eléctrico en sesquióxido de vanadio

Título Superación del régimen térmico para la transición de Mott impulsada por campo eléctrico en sesquióxido de vanadio
Autores Flavio Giorgianni, Joe Sakai, Stefano Lupi
Revista Nature Communications
Fecha 03/11/2019
DOI 10.1038/s41467-019-09137-6
Introducción La intrincada interacción de las propiedades electrónicas, magnéticas y reticulares en los materiales Mott-Hubbard permite diversas transiciones de aislante a metal (IMT) iniciadas por factores como la temperatura, la presión, la luz y los campos eléctricos. A pesar de ello, los aspectos cuánticos frente a los térmicos de las transiciones inducidas por campos eléctricos siguen siendo ambiguos. Utilizando pulsos intensos de terahercios, el estudio demuestra una IMT inmediata y puramente electrónica en el sesquióxido de vanadio (V2O3) Mott-Hubbard. A diferencia de las transiciones térmicas, que implican un calentamiento Joule de decenas de picosegundos, los campos eléctricos de terahercios pueden desencadenar un cambio electrónico de subpicosegundos. La investigación explora exhaustivamente la transición de Mott inducida por THz, destacando un cambio de una dinámica cuántica rápida a una disipación térmica más lenta a medida que aumenta la temperatura. Esta transición electrónica impulsada por campos intensos de terahercios ofrece posibilidades de conmutación electrónica ultrarrápida y generación de armónicos elevados en sistemas correlacionados.
Cita Flavio Giorgianni, Joe Sakai y Stefano Lupi. Overcoming the thermal regime for the electric-field driven Mott transition in vanadium sesquioxide. Nat Commun. 2019. DOI: 10.1038/s41467-019-09137-6
Documentos relacionados
Cargando... Por favor, espere...
Publique sus investigaciones y artículos en el sitio web de SAM
Descargo de responsabilidad
Esta página proporciona solo los metadatos de trabajos académicos para ayudar a las personas a localizar fácilmente la información relevante. Para acceder al contenido completo de los trabajos, utilice el DOI para visitar el sitio web del editor original. Los datos provienen de bases de datos académicas de acceso público y cumplen con los términos de uso de estas plataformas. Si tiene alguna preocupación sobre derechos de autor, por favor contáctenos. Abordaremos su solicitud de manera inmediata

¡Éxito! Ahora estás suscrito

¡Te has suscrito con éxito! Revisa pronto tu bandeja de entrada para ver los excelentes correos electrónicos de este remitente.
Deja Un Mensaje
Deja Un Mensaje
* Tu Nombre:
* Su Correo Electrónico:
* Nombre del producto:
* Tu teléfono:
* Comentarios: