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    • Nanoimagen de campo cercano de fases y dinámica de portadores en nanohaces de dióxido de vanadio

    Título Nanoimagen de campo cercano de fases y dinámica de portadores en nanohaces de dióxido de vanadio
    Autores Rundi Yang,Jingang Li,Yuhang Cai,Brian W. Blankenship,Junqiao Wu,Costas P. Grigoropoulos
    Revista ACS Fotónica
    Fecha 07/17/2024
    DOI 10.1021/acsphotonics.4c00848
    Introducción La presencia simultánea de fases aislantes y metálicas en el dióxido de vanadio (VO2) tenso suscita un gran interés debido a sus propiedades de transición de fase. Sin embargo, comprender el comportamiento de los portadores de carga dentro de estas fases ha resultado todo un reto. Este estudio utiliza nanoscopía óptica de campo cercano para visualizar dominios de fase a nanoescala en nanohaces doblados de VO2. Las medidas transitorias indican tiempos de vida prolongados de recombinación de portadores en la fase metálica, junto con un rápido proceso de difusión. Estas observaciones aportan información valiosa sobre la dinámica de los portadores a nanoescala y permiten avanzar en la investigación de los materiales de cambio de fase y sus aplicaciones en sistemas de detección y microelectromecánicos.
    Cita Rundi Yang, Jingang Li y Yuhang Cai et al. Near-Field Nanoimaging of Phases and Carrier Dynamics in Vanadium Dioxide Nanobeams. ACS Photonics. 2024. Vol. 11(8):3359-3364. DOI: 10.1021/acsphotonics.4c00848
    Elemento Vanadio (V)
    Temas Nanotecnología y nanomateriales
    Industria Electrónica
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