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Canales de relajación microscópica en materiales para qubits superconductores

Título Canales de relajación microscópica en materiales para qubits superconductores
Autores Anjali Premkumar, Conan Weiland, Sooyeon Hwang, Berthold Jäck, Alexander P. M. Place, Iradwikanari Waluyo, Adrian Hunt, Valentina Bisogni, Jonathan Pelliciari, Andi Barbour, Mike S. Miller, Paola Russo, Fernando Camino, Kim Kisslinger, Xiao Tong, Mark S. Hybertsen, Andrew A. Houck, Ignace Jarrige.
Revista Material de comunicación
Fecha 07/01/2021
DOI 10.1038/s43246-021-00174-7
Introducción El estudio aborda el importante reto que plantean las imperfecciones del material en la aplicación de qubits superconductores. Al correlacionar los tiempos de relajación transmon del qubit con las propiedades de las películas policristalinas de niobio, la investigación identifica las conexiones entre la coherencia del qubit y las características intrínsecas de la película, como el tamaño del grano, la difusión de oxígeno a lo largo de los límites del grano y la concentración de subóxido en la superficie. Las películas depositadas por distintos métodos revelan cómo influyen estos factores en el rendimiento de los qubits. Las pruebas sugieren que los defectos de dos niveles del sistema pueden residir en los límites de grano y en los óxidos superficiales. La relación de resistencia residual de las películas surge como una métrica para evaluar la longevidad de los qubits, allanando el camino para mejorar el rendimiento de los qubits superconductores mediante mejoras en los materiales.
Cita Anjali Premkumar, Conan Weiland y Sooyeon Hwang et al. Canales de relajación microscópica en materiales para qubits superconductores. Commun Mater. 2021. Vol. 2(1). DOI: 10.1038/s43246-021-00174-7
Elemento Niobio (Nb) , Oxígeno (O)
Materiales Metales y aleaciones , Óxidos
Temas Procesos de deposición
Industria Electrónica
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