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    • Plasmones de intervalencia en diamante dopado con boro

    Título Plasmones de intervalencia en diamante dopado con boro
    Autores Souvik Bhattacharya, Jonathan Boyd, Sven Reichardt, Valentin Allard, Amir Hossein Talebi, Nicolò Maccaferri, Olga Shenderova, Aude L. Lereu, Ludger Wirtz, Giuseppe Strangi, R. Mohan Sankaran
    Revista Nature Communications
    Fecha 01/14/2025
    DOI 10.1038/s41467-024-55353-0
    Introducción Los semiconductores dopados pueden presentar características similares a las metálicas, como la superconductividad y resonancias de plasmón de superficie localizadas y ajustables. El diamante, un semiconductor de banda ancha, se vuelve electrónicamente activo con dopantes de boro. Los efectos del boro en la estructura de banda electrónica del diamante son bien conocidos, pero su relación con los plasmones sigue sin demostrarse. Presentamos los plasmones de intervalencia en el diamante dopado con boro como excitaciones electrónicas colectivas entre subbandas de valencia activadas por huecos. La pérdida de energía de los electrones de valencia y la espectroscopia infrarroja de campo cercano demuestran la existencia de estas excitaciones de baja energía. Los espectros se replican mediante cálculos de primeros principios, destacando el impacto de las transiciones de banda de intervalencia en la función dieléctrica. Nuestros hallazgos indican un cruce en la parte real de la función dieléctrica, característico de la metalicidad. Estos hallazgos proponen un nuevo método para inducir comportamientos similares a los plasmones en semiconductores dopados, lo que sugiere un potencial para tales rasgos en el diamante, un material importante para las tecnologías emergentes de información cuántica.
    Cita Souvik Bhattacharya, Jonathan Boyd y Sven Reichardt et al. Plasmones de intervalo en diamante dopado con boro. Nat Commun. 2025. DOI: 10.1038/s41467-024-55353-0
    Elemento Boro (B) , Carbono (C)
    Temas Materiales fotónicos y optoelectrónicos
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