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Magnetorresistencia extremadamente grande en heteroestructuras de pocas capas de grafeno/boro-nitruro

Título Magnetorresistencia extremadamente grande en heteroestructuras de pocas capas de grafeno/boro-nitruro
Autores Kalon Gopinadhan, Young Jun Shin, Rashid Jalil, Thirumalai Venkatesan, Andre K. Geim, Antonio H. Castro Neto, Hyunsoo Yang
Revista Nature Communications
Fecha 09/21/2015
DOI https://doi.org/10.1038/ncomms9337
Introducción Investigar la magnetorresistencia, que es la variación de la resistencia eléctrica bajo un campo magnético externo a escala atómica, es crucial tanto para la comprensión fundamental como para los avances tecnológicos. El grafeno y otros materiales bidimensionales ofrecen una oportunidad única para estudiar la magnetorresistencia durante las primeras etapas del desarrollo estructural. En este estudio se describe una magnetorresistencia local excepcionalmente grande de aproximadamente el 2.000% a 400 K y una magnetorresistencia no local superior al 90.000% en un campo magnético de 9 T a 300 K dentro de heteroestructuras de grafeno/boro-nitruro de pocas capas. La magnetorresistencia local es el resultado de diferencias significativas en las propiedades de transporte, como la movilidad de los portadores, entre las distintas capas de grafeno de pocas capas cuando se exponen a un campo magnético perpendicular. En cambio, la magnetorresistencia no local se atribuye al efecto Ettingshausen-Nernst inducido por el campo magnético, lo que apunta a un posible interruptor térmico ajustable por compuerta basado en el grafeno. Además, estos resultados sugieren que las heteroestructuras de grafeno son prometedoras para aplicaciones de detección de campos magnéticos.
Cita Kalon Gopinadhan, Young Jun Shin y Rashid Jalil et al. Extremely large magnetoresistance in few-layer graphene/boron-nitride heterostructures. Nat Commun. 2015. Vol. 6. DOI: 10.1038/ncomms9337
Elemento Boro (B) , Carbono (C) , Nitrógeno (N)
Temas Materiales magnéticos , Grafeno y materiales 2D
Industria Electrónica , Investigación y laboratorio
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