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    • Memoria ultrarrápida de alta resistencia basada en ferroeléctricos deslizantes

    Título Memoria ultrarrápida de alta resistencia basada en ferroeléctricos deslizantes
    Autores Kenji Yasuda, Evan Zalys-Geller, Xirui Wang, Daniel Bennett, Suraj S. Cheema, Kenji Watanabe, Takashi Taniguchi, Efthimios Kaxiras, Pablo Jarillo-Herrero, Raymond Ashoori
    Revista Ciencia
    Fecha 07/05/2024
    DOI 10.1126/science.adp3575
    Introducción La capacidad de los fenómenos electrónicos colectivos conmutables por voltaje para persistir a escala atómica es muy prometedora para la electrónica compacta y energéticamente eficiente, sobre todo en el desarrollo de memorias no volátiles. Este estudio evalúa las características de un transistor ferroeléctrico de efecto de campo (FeFET) que utiliza ferroelectricidad deslizante dentro de una bicapa de nitruro de boro a temperatura ambiente. La ferroelectricidad deslizante ofrece un mecanismo distinto para los ferroeléctricos bidimensionales (2D) atómicamente delgados, que implica la modulación de la polarización fuera del plano mediante el deslizamiento entre capas. El dispositivo FeFET, dotado de un canal de grafeno monocapa, consiguió una conmutación ultrarrápida en la escala de nanosegundos y una resistencia excepcional superior a 10^11 ciclos, a la altura de las principales tecnologías FeFET. Estos atributos subrayan la utilidad de los ferroeléctricos 2D deslizantes para el avance de futuras aplicaciones de memoria no volátil.
    Cita Kenji Yasuda, Evan Zalys-Geller y Xirui Wang et al. Memoria ultrarrápida de alta resistencia basada en ferroeléctricos deslizantes. Science. 2024. Vol. 385(6704):53-56. DOI: 10.1126/science.adp3575
    Elemento Boro (B) , Nitrógeno (N) , Carbono (C)
    Temas Materiales inteligentes y funcionales
    Industria Electrónica
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