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    • Ensamblaje químico a gran escala de transistores y circuitos atómicamente finos

    Título Ensamblaje químico a gran escala de transistores y circuitos atómicamente finos
    Autores Mervin Zhao, Yu Ye, Yimo Han, Yang Xia, Hanyu Zhu, Siqi Wang, Yuan Wang, David A. Muller, Xiang Zhang
    Revista Naturaleza Nanotecnología
    Fecha 07/11/2016
    DOI 10.1038/nnano.2016.115
    Introducción El desarrollo de la electrónica avanzada requiere nuevos materiales que superen las capacidades del silicio y ofrezcan una mayor funcionalidad, rendimiento y miniaturización de los circuitos integrados. Los materiales bidimensionales, en concreto el grafeno sin huecos y los dicalcogenuros semiconductores de metales de transición, son alternativas atractivas por su estructura atómica ultrafina y su gran estabilidad química. Sin embargo, las dificultades para lograr un control espacial preciso durante la fabricación de estos materiales dificultan su integración práctica en dispositivos funcionales. Este estudio detalla la síntesis a gran escala y con control espacial de heteroestructuras compuestas por disulfuro de molibdeno semiconductor de una sola capa en contacto directo con grafeno conductor. Las investigaciones realizadas mediante microscopía electrónica de transmisión indican que el disulfuro de molibdeno monocapa se forma preferentemente en los bordes del grafeno. Estos transistores atómicos fabricados químicamente ofrecen unas prestaciones impresionantes, como una transconductancia elevada de 10 µS, una relación on-off de aproximadamente 10^6 y una movilidad de unos 17 cm² V-¹ s-¹. La selectividad de sitio inherente a estos cristales conductores y semiconductores atómicamente finos facilita su utilización en la construcción de circuitos lógicos bidimensionales, ejemplificada por un inversor NMOS que demuestra una alta ganancia de tensión de hasta 70.
    Cita Mervin Zhao, Yu Ye y Yimo Han et al. Ensamblaje químico a gran escala de transistores y circuitos atómicamente finos. Nat Nanotechnol. 2016. Vol. 11(11):954-959. DOI: 10.1038/nnano.2016.115
    Elemento Carbono (C) , Molibdeno (Mo) , Azufre (S) , Silicio (Si)
    Industria Electrónica
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