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    • Ensamblaje químico de transistores y circuitos atómicamente finos a gran escala

    Título Ensamblaje químico de transistores y circuitos atómicamente finos a gran escala
    Autores Mervin Zhao, Yu Ye, Yimo Han, Yang Xia, Hanyu Zhu, Yuan Wang, David A. Muller, Xiang Zhang
    Fecha 12/15/2015
    DOI 10.1038/nnano.2016.115
    Introducción La continua demanda de mayor funcionalidad, rendimiento y miniaturización en los circuitos integrados exige el desarrollo de materiales avanzados que vayan más allá del silicio convencional. Aunque los nanotubos de carbono y los nanohilos semiconductores son prometedores, su aplicación generalizada se enfrenta a obstáculos debidos a los complejos requisitos de fabricación para su producción a gran escala. Los materiales bidimensionales (2D), como el grafeno sin huecos y los dicalcogenuros de metales de transición (TMDC) semiconductores, presentan alternativas atractivas por su delgadez atómica, robustez química y escalabilidad. Sin embargo, lograr una disposición espacial precisa de las láminas delgadas atómicas metálicas y semiconductoras para las estructuras electrónicas 2D sigue siendo un obstáculo importante que dificulta la integración de los elementos atómicos en los sistemas electrónicos modernos. Este trabajo detalla la síntesis a gran escala y espacialmente controlada de disulfuro de molibdeno (MoS2) monocapa en contacto lateral directo con grafeno conductor. El análisis microscópico confirma que el MoS2 monocapa se nuclea en el borde del grafeno, formando una heteroestructura 2D lateral. Los transistores atómicos 2D ensamblados químicamente y fabricados a partir de estas heteroestructuras demuestran una elevada transconductancia (10 µS), impresionantes relaciones on-off (10^6) y una notable movilidad (20 cm^2 V^-1 s^-1). Además, hemos construido circuitos lógicos 2D, incluido un inversor NMOS de heteroestructura con una ganancia de tensión de hasta 70, gracias a la precisa selectividad de sitios inherente a estos cristales conductores y semiconductores atómicamente finos. Este método escalable de ensamblaje químico de heteroestructuras 2D tiene potencial para iniciar una nueva era en los circuitos electrónicos y la informática bidimensionales.
    Cita Mervin Zhao, Yu Ye y Yimo Han et al. Ensamblaje químico de transistores y circuitos atómicamente finos a gran escala. 2015. DOI: 10.1038/nnano.2016.115
    Elemento Carbono (C) , Molibdeno (Mo) , Azufre (S) , Silicio (Si)
    Materiales Cristales
    Industria Electrónica
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