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  • Distribución espectral no homogénea ultraestrecha de centros de vanadio de longitud de onda telecom en carburo de silicio enriquecido isotópicamente

    • Distribución espectral no homogénea ultraestrecha de centros de vanadio de longitud de onda telecom en carburo de silicio enriquecido isotópicamente

    Título Distribución espectral no homogénea ultraestrecha de centros de vanadio de longitud de onda telecom en carburo de silicio enriquecido isotópicamente
    Autores Pasquale Cilibrizzi, Muhammad Junaid Arshad, Benedikt Tissot, Nguyen Tien Son, Ivan G. Ivanov, Thomas Astner, Philipp Koller, Misagh Ghezellou, Jawad Ul-Hassan, Daniel White, Christiaan Bekker, Guido Burkard, Michael Trupke, Cristian Bonato
    Revista Nature Communications
    Fecha 12/19/2023
    DOI 10.1038/s41467-023-43923-7
    Introducción Los emisores cuánticos con espín activo son fundamentales en las tecnologías cuánticas, pero sus amplias frecuencias de emisión óptica plantean problemas. Este estudio se centra en centros únicos de vanadio V 4+ en 4H-SiC, que ofrecen una emisión de longitud de onda de telecomunicación y un estado de espín coherente S = 1/2. Mediante espectroscopia, observamos transiciones ópticas dependientes del espín, cruciales para las tecnologías cuánticas. Mediante espectroscopia, observamos transiciones ópticas dependientes del espín, cruciales para las interfaces espín-fotón. Modificando la composición isotópica del SiC, conseguimos una distribución espectral impresionantemente estrecha de 100 MHz, mucho menor que la de cualquier emisor conocido. El ajuste de las concentraciones de dopante estabiliza el estado de carga V 4+, prolongando su vida útil de forma significativa, lo que aumenta su potencial para redes cuánticas de telecomunicaciones escalables.
    Cita Pasquale Cilibrizzi, Muhammad Junaid Arshad y Benedikt Tissot et al. Ultra-narrow inhomogeneous spectral distribution of telecom-wavelength vanadium centres in isotopically-enriched silicon carbide. Nat Commun. 2023. Vol. 14. DOI: 10.1038/s41467-023-43923-7
    Elemento Vanadio (V)
    Temas Materiales fotónicos y optoelectrónicos
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